Name: DMP10H400SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP10H400SE-13DITR-ND
Price: 29.7297 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP10H400SE-13
Číslo produktu DigiKey	DMP10H400SE-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMP10H400SE-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMP10H400SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP10H400SE-13
Popis	MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 2,3A (Ta), 6A (Tc) 2W (Ta), 13,7W (Tc) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMP10H400SE-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17.5 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1239 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 13,7W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,3A (Ta), 6A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 250mOhm při 5A, 10V	Základní číslo produktu DMP10