Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 7.8287 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN65D8LFB-7B
Číslo produktu DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN65D8LFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN65D8LFB-7B Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 25 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 430mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 260mA (Ta)	Pouzdro 3-UFDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 10V	Základní číslo produktu DMN65
Rds zap (max) při Id, Vgs 3Ohm při 115mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)