Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 3.267 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN65D8LFB-7B
Číslo produktu DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN65D8LFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN65D8LFB-7B Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	260mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3Ohm při 115mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	25 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	430mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X1-DFN1006-3
Pouzdro	3-UFDFN
Základní číslo produktu	DMN65