Name: DMN62D1LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D1LFB-7BDITR-ND
Price: 8.8935 CZK
Availability: InStock

DMN62D1LFB-7B
Číslo produktu DigiKey	DMN62D1LFB-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN62D1LFB-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN62D1LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN62D1LFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN62D1LFB-7B Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	320mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2Ohm při 100mA, 4V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	64 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X1-DFN1006-3
Pouzdro	3-UFDFN
Základní číslo produktu	DMN62

Jednotková cena bez DPH:	7,35000 Kč
Jednotková cena s DPH:	8,89350 Kč

DMN62D1LFB-7B