Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent

DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMN61D8LVTQ-13 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 40 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 630mA 820mW Montáž na povrch TSOT-26 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Diodes Incorporated | |
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 60V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 630mA | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,8Ohm při 150mA, 5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 0,74nC při 5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 12,9pF při 12V | |
Výkon - max | 820mW | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6 | |
Dodávaná velikost pouzdra | TSOT-26 | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 10 000 | 2,77396 Kč | 27 739,60 Kč |
| 20 000 | 2,56560 Kč | 51 312,00 Kč |
| 30 000 | 2,45945 Kč | 73 783,50 Kč |
| 50 000 | 2,34022 Kč | 117 011,00 Kč |
| 70 000 | 2,26963 Kč | 158 874,10 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 2,77396 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 3,35649 Kč |


