Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent

DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMN61D8LVTQ-13 |
Popis | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 40 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 60V 630mA 820mW Montáž na povrch TSOT-26 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 2V při 1mA |
Výrobce Diodes Incorporated | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0,74nC při 5V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12,9pF při 12V |
Stav součásti Aktivní | Výkon - max 820mW |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně | Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6 |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V | Dodávaná velikost pouzdra TSOT-26 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 630mA | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,8Ohm při 150mA, 5V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN61D8LVT-13CT-ND | 17,31000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN61D8LVT-7DICT-ND | 17,31000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN61D8LVTQ-7DICT-ND | 16,89000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 10 000 | 3,47832 Kč | 34 783,20 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 3,47832 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 4,20877 Kč |


