Name: DMN61D8LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LVT-7DITR-ND
Price: 19.6141 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN61D8LVT-7
Číslo produktu DigiKey	DMN61D8LVT-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN61D8LVT-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN61D8LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN61D8LVT-7
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 630mA 820mW Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	630mA
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8Ohm při 150mA, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0,74nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12,9pF při 12V
Výkon - max	820mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Základní číslo produktu	DMN61

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 341

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)