Name: DMN6069SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6069SE-13DITR-ND
Price: 16.4076 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN6069SE-13
Číslo produktu DigiKey	DMN6069SE-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN6069SE-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN6069SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN6069SE-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 4,3A (Ta), 10A (Tc) 2,2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 825 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,2W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,3A (Ta), 10A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 69mOhm při 3A, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA	Základní číslo produktu DMN6069

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 740

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)