Name: DMN6068SEQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN6068SEQ-13TR-ND
Price: 27.2492 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN6068SEQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMN6068SEQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN6068SEQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN6068SEQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN6068SEQ-13
Popis	MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 4,1A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10.3 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 502 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,1A (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 68mOhm při 12A, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA	Základní číslo produktu DMN6068

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 980

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)