Name: DMN6013LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-13-ND
Price: 8.39499 CZK
Availability: OutOfStock

DMN6013LFGQ-13 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 6,06879 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 3 894

Jednotková cena : 24,21000 Kč

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 27,79000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN6013LFGQ-13
Číslo produktu DigiKey	DMN6013LFGQ-13-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN6013LFGQ-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 10,3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,3A (Ta), 45A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2577 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	POWERDI3333-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMN6013