Name: DMN3730UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3730UFB-7TR-ND
Price: 14.3627 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3730UFB-7
Číslo produktu DigiKey	DMN3730UFB-7TR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3730UFB-7CT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3730UFB-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3730UFB-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	750mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	460mOhm při 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	950mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	64.3 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	470mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X1-DFN1006-3
Pouzdro	3-UFDFN
Základní číslo produktu	DMN3730