Name: DMN2022UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2022UFDF-13-ND
Price: 3.37772 CZK
Availability: OutOfStock

DMN2022UFDF-13 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 878

Jednotková cena : 12,63000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 24 187

Jednotková cena : 22,31000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2022UFDF-13
Číslo produktu DigiKey	DMN2022UFDF-13-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2022UFDF-13
Popis	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 7,9A (Ta) 660mW (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	907 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	660mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (Typ F)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	DMN2022