Name: DMN2009LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009LSS-13TR-ND
Price: 28.5318 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2009LSS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMN2009LSS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN2009LSS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN2009LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2009LSS-13
Popis	MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	58.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2555 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	DMN2009