Name: DMN2009USS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009USS-13TR-ND
Price: 26.9346 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2009USS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMN2009USS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN2009USS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN2009USS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2009USS-13
Popis	MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 12,1A (Ta) 1,4W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1706 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,4W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,1A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Rds zap (max) při Id, Vgs 8mOhm při 12A, 10V	Základní číslo produktu DMN2009

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 55

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	22,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:	26,93460 Kč

DMN2009USS-13