Name: DMN2008LFU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2008LFU-7DITR-ND
Price: 25.9787 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2008LFU-7
Číslo produktu DigiKey	DMN2008LFU-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN2008LFU-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN2008LFU-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2008LFU-7
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 14,5A 1W Montáž na povrch U-DFN2030-6 (typ B)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN2008LFU-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální) společný odtok
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14,5A
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,4mOhm při 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250A
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42,3nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1418pF při 10V
Výkon - max	1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-UFDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2030-6 (typ B)
Základní číslo produktu	DMN2008