Name: DMN10H170SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SVTQ-7DITR-ND
Price: 22.6149 CZK
Availability: InStock

DMN10H170SVTQ-7
Číslo produktu DigiKey	DMN10H170SVTQ-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN10H170SVTQ-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN10H170SVTQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN10H170SVTQ-7
Popis	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2,6A (Ta) 1,2W (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	160mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1167 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	DMN10

Jednotková cena bez DPH:	18,69000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,61490 Kč

DMN10H170SVTQ-7