Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 15.125 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG3415UFY4Q-7
Číslo produktu DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG3415UFY4Q-7
Popis	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 16 V 2,5A (Ta) 650mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN2015-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG3415UFY4Q-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	16 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	39mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	282 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	650mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X2-DFN2015-3
Pouzdro	3-XDFN
Základní číslo produktu	DMG3415