Name: DMG1012T-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012T-7DITR-ND
Price: 25.9787 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG1012T-7
Číslo produktu DigiKey	DMG1012T-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG1012T-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG1012T-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG1012T-7
Popis	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Montáž na povrch SOT-523
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG1012T-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	630mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	400mOhm při 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	60.67 pF @ 16 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	280mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-523
Pouzdro	SOT-523
Základní číslo produktu	DMG1012