CDBJSC8650-G je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

BSDH08G65E2
Bourns Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 71,16929 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

IDH08G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Skladem : 137
Jednotková cena : 83,78000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

PCDP0865G1_T0_00001
Panjit International Inc.
Skladem : 1 995
Jednotková cena : 76,43000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

UJ3D06508TS
onsemi
Skladem : 27 243
Jednotková cena : 101,63000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
Obrázek pro CDBJSC8650-G není k dispozici
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CDBJSC8650-G

Číslo produktu DigiKey
CDBJSC8650-G-ND
Výrobce
Comchip Technology
Číslo produktu výrobce
CDBJSC8650-G
Popis
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Dioda 650 V 8A Průchozí otvor TO-220-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Comchip Technology
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)
650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)
8A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If
1.7 V @ 8 A
Rychlost
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)
0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr
100 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F
560pF při 0V, 1MHz
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-2
Provozní teplota - přechod
-55°C ~ 175°C
Základní číslo produktu
CDBJSC8650
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.