Dioda 650 V 8A Průchozí otvor PG-TO220-2-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IDH08G65C5XKSA2

Číslo produktu DigiKey
448-IDH08G65C5XKSA2-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IDH08G65C5XKSA2
Popis
DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Dioda 650 V 8A Průchozí otvor PG-TO220-2-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IDH08G65C5XKSA2 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™+
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)
650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)
8A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If
1.7 V @ 8 A
Rychlost
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)
0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr
140 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F
250pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-2-1
Provozní teplota - přechod
-55°C ~ 175°C
Základní číslo produktu
IDH08G65
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 137
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
183,78000 Kč83,78 Kč
5042,34040 Kč2 117,02 Kč
10038,32970 Kč3 832,97 Kč
50031,29878 Kč15 649,39 Kč
1 00029,04086 Kč29 040,86 Kč
2 00027,14265 Kč54 285,30 Kč
5 00025,51517 Kč127 575,85 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:83,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:101,37380 Kč