CDM2206-800LR SL PBFREE Central Semiconductor Corp | Diskrétní polovodičové produkty

CDM2206-800LR SL PBFREE je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 59 280

Jednotková cena : 33,74000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 445

Jednotková cena : 59,16000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 879

Jednotková cena : 60,62000 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 70

Jednotková cena : 91,03000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CDM2206-800LR SL PBFREE
Číslo produktu DigiKey	1514-CDM2206-800LRSLPBFREE-ND
Výrobce	Central Semiconductor Corp
Číslo produktu výrobce	CDM2206-800LR SL PBFREE
Popis	MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Central Semiconductor Corp
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	950mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	30V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	110W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	CDM2206