AOTF11S60L je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 37
Jednotková cena : 46,62000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 110,45000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 030
Jednotková cena : 106,46000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 703
Jednotková cena : 92,18000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 80,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 343
Jednotková cena : 90,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 76,43000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 672
Jednotková cena : 57,11000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 517
Jednotková cena : 59,21000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 969
Jednotková cena : 58,79000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 112
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 41,38280 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Průchozí otvor TO-220F
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOTF11S60L

Číslo produktu DigiKey
AOTF11S60L-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOTF11S60L
Popis
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Průchozí otvor TO-220F
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4,1V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
11 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
545 pF @ 100 V
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Rozptylový výkon (Max)
38W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 3,8A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (13)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage37TK11A65WS5X-ND46,62000 KčDirect
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0264-TK12A60W,S4VX-ND110,45000 KčDirect
FCPF400N80Zonsemi1 030FCPF400N80Z-ND106,46000 KčSimilar
FDPF17N60NTonsemi703FDPF17N60NTFS-ND92,18000 KčSimilar
IPAN80R360P7XKSA1Infineon Technologies0IPAN80R360P7XKSA1-ND80,21000 KčSimilar
K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00025,84245 Kč25 842,45 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:25,84245 Kč
Jednotková cena s DPH:31,26936 Kč