AOTF11S60L je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 37
Jednotková cena : 42,21000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 50
Jednotková cena : 99,95000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 030
Jednotková cena : 102,68000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 739
Jednotková cena : 88,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 64,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 71,39000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 700
Jednotková cena : 40,53000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 547
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 975
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 112
Jednotková cena : 76,85000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,70958 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 40,13980 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Průchozí otvor TO-220F
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOTF11S60L

Číslo produktu DigiKey
AOTF11S60L-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOTF11S60L
Popis
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Průchozí otvor TO-220F
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
545 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00024,15169 Kč24 151,69 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:24,15169 Kč
Jednotková cena s DPH:29,22354 Kč