AOTF11S60L je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 79
Jednotková cena : 41,87000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 53
Jednotková cena : 75,40000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 084
Jednotková cena : 88,32000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 005
Jednotková cena : 68,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 61,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 500
Jednotková cena : 83,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 270
Jednotková cena : 35,41000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 662
Jednotková cena : 63,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 550
Jednotková cena : 54,16000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 45
Jednotková cena : 19,37000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 25
Jednotková cena : 39,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,46388 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 45,52180 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOTF11S60L

Číslo produktu DigiKey
AOTF11S60L-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOTF11S60L
Popis
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Průchozí otvor TO-220F
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
399mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
545 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00022,07938 Kč22 079,38 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:22,07938 Kč
Jednotková cena s DPH:26,71605 Kč