AOT12N60FDL je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 1 954
Jednotková cena : 37,67952 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 720
Jednotková cena : 75,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 543
Jednotková cena : 22,73399 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 5 939
Jednotková cena : 78,94000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 44,18253 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 42,67747 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 40,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 98
Jednotková cena : 131,35000 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOT12N60FDL

Číslo produktu DigiKey
785-AOT12N60FDL-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOT12N60FDL
Popis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 12A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
650mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2010 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
278W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.