MFR Recommended
Similar

FCP650N80Z | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FCP650N80Z-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FCP650N80Z |
Popis | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Průchozí otvor TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FCP650N80Z Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 800µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1565 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 162W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 650mOhm při 4A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP400N80Z | onsemi | 807 | FCP400N80Z-ND | 99,74000 Kč | MFR Recommended |
| IXTP10N60P | IXYS | 0 | IXTP10N60P-ND | 53,15223 Kč | Similar |



