FCP650N80Z je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 830

Jednotková cena : 75,32000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 42,18277 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP650N80Z
Číslo produktu DigiKey	FCP650N80Z-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FCP650N80Z
Popis	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FCP650N80Z Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	SuperFET® II
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	650mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 800µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1565 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	162W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	FCP650