Automotive

Nabíjení baterie

Close up of an Automotive Charging socket and plug
S rostoucí poptávkou po energii v elektromobilech nabývá na významu též schopnost rychlého a účinného dobíjení bateriového bloku vozidla. Implementací nabíjecího obvodu baterie s vysokým napětím a vysokou proudovou zatížitelností na palubě vozidla nebo v nabíjecí stanici lze bateriový blok vozidla dobíjet rychle a s minimem prostojů.
Battery Charging Diagram

Logické zásobníky, řadiče, přijímače a transceivery umožňují izolovaný přístup k logickým signálům z jednoho obvodu pro použití v jiném obvodu. Zásobníky předávají vstupní signál v nezměněné nebo změněné podobě na výstup a lze je používat k vyčištění slabého signálu nebo k ovládání zátěže. V simulátoru booleovské logiky a zásobník používá hlavně ke zvýšení zpoždění šíření. Logické přijímače a transceivery umožňují izolovanou komunikaci mezi datovými sběrnicemi.

Zobrazit všechny sběrnice CAN Bus

Paměť je polovodičová součástka používaná jako úložné zařízení na integrovaném obvodu. Tyto součástky jsou k dispozici v několika formátech: CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM, a SRAM a energeticky nezávislém nebo závislém provedení. Velikosti pamětí těchto součástek se pohybují od 64∘B do 6∘TB, přičemž použité rozhraní může být I2C, MMC, paralelní, eMMC, sériové, Single Wire, SPI, UFS, Xccela Bus nebo 1-Wire.

Zobrazit všechny paměti

Produkty ze skupiny modulárních vestavěných procesorů zahrnují mikrokontrolér, mikroprocesor, digitální signálový procesor, programovatelné hradlové pole (FPGA) a další podobná výpočetní zařízení společně s přídavnými součástkami, jako jsou paměť, řízení spotřeby energie, časování a další položky nezbytné pro jejich provoz. Jsou vhodné a určené pro integraci do koncového produktu a nabízejí vývojářům přístup k moderním výpočetním funkcím a rozhraním bez nutných zkušeností s konstrukcí vysokorychlostního hardwaru.

Zobrazit všechny mikrokontroléry

Izolátorové hradlové budiče představují rozhraní mezi výkonovými signály a externím obvodem s můstkovou nebo MOSFET architekturou. Jednotlivé druhy technologií zahrnují kapacitní vazbu, magnetickou vazbu a optickou vazbu s 1, 2 nebo 4 kanály. Izolační napětí se pohybuje od 1000 Vrms do 7500 Vrms a zpoždění šíření od 30 ns do 5 ms.

Zobrazit všechny tranzistory MOSFET/hradlové budiče

Diskrétní tranzistory řízené elektrickým polem (FET) se široce používají při přeměně energie, řízení motorů, polovodičovém osvětlení a v dalších aplikacích, kde je výhodná jejich charakteristická schopnost zapínání a vypínání na vysokých frekvencích při současném přenosu značně vysokých proudů. Používají se takřka všestranně u aplikací vyžadujících jmenovité napětí několik stovek voltů nebo méně, nad kterým se jiné typy součástek, jako jsou tranzistory IGBT, stávají konkurenceschopnějšími.

Zobrazit všechny tranzistory MOSFET

Produkty ve skupině DC-DC spínacích regulátorů PMIC (integrované obvody řízení spotřeby energie) jsou součástky na úrovni komponentů používané v aplikacích vyžadujících stabilizaci stejnosměrného vstupního napětí a/nebo jeho transformaci na výstupní napětí jiné hodnoty. Od obdobných produktů s názvem „řídicí jednotky PMIC“ se odlišují integrací hlavního spínacího prvku, kterým prochází výkon dodávaný součástkou.

Zobrazit všechny regulátory napětí - DC/DC spínané regulátory

Znázorněné blokové schéma slouží pouze pro ilustraci. Produkty uvedené v seznamu nebyly testovány na kompatibilitu. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v∘katalogovém listu produktu.