Transistory FET, MOSFET - jednotlivé

Výsledky : 41 106
Výrobce
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBartels Mikrotechnik GmbHCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale Semiconductor
Řada
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7
Balení
-Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukcePředběžnéUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Typ tranzistoru FET
-N-kanálP-kanál
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)MOSFET (oxid kovu)SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)SiCFET (karbid křemíku)SiCFET (kaskodový SiCJFET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5 V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,4mOhm při 150A, 10V0,4mOhm při 30A, 10V0,4mOhm při 50A, 10V0,42mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 30A, 10V0,45mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 60A, 4,5V0,47mOhm při 20A, 10V0,48mOhm při 50A, 10V0,52mOhm při 20A, 10V0,52mOhm při 30A, 10V0,53mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
400mV při 1mA (min.)400mV při 250µA (min.)450mV při 100µA (min.)450mV při 1mA (min.)450mV při 250µA (min.)450mV při 2mA (min.)500mV při 250µA (min.)600mV při 1,2mA (min.)600mV při 1mA (min.)600mV při 250µA (min.)650mV při 250µA700mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V3.65 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V
Funkce tranzistoru FET
-Detekce prouduDioda pro snímání teplotyRežim spotřebySchottkyho dioda (samostatná)Schottkyho dioda (těleso)StandardníSuper Junction
Rozptylový výkon (Max)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Pouzdro
2-PowerTSFN3-DFN podložka pro odvod tepla3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Ploché vodiče3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Nestandardní3-SMD, Ploché vodiče3-SMD, Plochý vodič
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
41 106Výsledky
Zobrazuje se
1 - 25
z 41 106
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vgs (max)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Funkce tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
Provozní teplota
Způsob montáže
Dodávaná velikost pouzdra
Pouzdro
RGTHTSXXDGCXX
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
0
Skladem
1 : 319,27000 Kč
Trubice
Trubice
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)1200 V26A (Tc)18V81mOhm při 12A, 18V4,8V při 6,45mA64 nC @ 18 V+21V, -4V1498 pF @ 800 V-115W175°C (TJ)Průchozí otvorTO-247NTO-247-3
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
300 884
Skladem
1 : 31,50000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 13,39600 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V1,7A (Ta)5V65mOhm při 1A, 5V2,5V při 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
71 468
Skladem
1 : 27,27000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 11,58573 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)15 V3,4A (Ta)5V30mOhm při 1,5A, 5V2,5V při 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
282 879
Skladem
1 : 27,27000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 13,39600 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm při 50mA, 5V2,5V při 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
374 428
Skladem
1 : 31,50000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 13,39600 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V1,7A (Ta)5V550mOhm při 100A, 5V2,5V při 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
64 427
Skladem
1 : 38,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 17,98515 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V8,2A (Ta)5V13,5mOhm při 11A, 5V2,5V při 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
50 479
Skladem
1 : 52,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 24,33285 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V6A (Ta)5V30mOhm při 6A, 5V2,5V při 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (5-pájecí tyč)Razidlo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
27 669
Skladem
1 : 52,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 24,33285 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V4A (Ta)5V160mOhm při 500mA, 5V2,5V při 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
EPC
13 308
Skladem
1 : 43,49000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 23,01638 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V3A (Ta)5V43mOhm při 1A, 5V2,5V při 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
40 825
Skladem
1 : 61,83000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 28,56465 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V16A (Ta)5V7mOhm při 16A, 5V2,5V při 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
28 607
Skladem
1 : 61,83000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 28,56465 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V29A (Ta)5V6mOhm při 16A, 5V2,5V při 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
16 190
Skladem
1 : 62,54000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 28,91730 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)40 V29A (Ta)5V3,6mOhm při 15A, 5V2,5V při 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandardní--40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
191 328
Skladem
1 : 73,35000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 33,85440 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V18A (Ta)5V13,5mOhm při 11A, 5V2,5V při 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
12 438
Skladem
1 : 76,64000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 39,49680 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)65 V2A (Ta)5V530mOhm při 500mA, 5V2,5V při 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
12 104
Skladem
1 : 79,46000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 40,90740 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V14A (Ta)5V22mOhm při 14A, 5V2,5V při 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
30 605
Skladem
1 : 111,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 57,48195 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V48A (Ta)5V3,8mOhm při 25A, 5V2,5V při 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
21 936
Skladem
1 : 113,79000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 58,53990 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)40 V53A (Ta)5V4mOhm při 33A, 5V2,5V při 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
39 738
Skladem
1 : 111,67000 Kč
Řezaná páska (CT)
1 000 : 59,01480 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V60A (Ta)5V3,2mOhm při 25A, 5V2,5V při 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
130 242
Skladem
1 : 115,90000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 59,59785 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V36A (Ta)5V7mOhm při 25A, 5V2,5V při 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (11-pájecí tyč)Razidlo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
8 222
Skladem
1 : 151,40000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 77,93565 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V32A (Ta)5V8mOhm při 20A, 5V2,5V při 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
9 998
Skladem
1 : 161,75000 Kč
Řezaná páska (CT)
2 500 : 83,22540 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V22A (Ta)5V25mOhm při 12A, 5V2,5V při 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (7-pájecí tyč)Razidlo
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
108 303
Skladem
1 : 150,70000 Kč
Řezaná páska (CT)
500 : 94,44438 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)80 V90A (Ta)5V2,2mOhm při 29A, 5V2,5V při 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Rohm Semiconductor
800
Skladem
1 : 136,36000 Kč
Řezaná páska (CT)
400 : 95,20728 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1700 V4A (Tc)18V1,5Ohm při 1,1A, 18V4V při 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)Montáž na povrchTO-268TO-268-3, D³Pak (2 vodiče + jazýček), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
EPC
18 813
Skladem
1 : 155,17000 Kč
Řezaná páska (CT)
500 : 101,01306 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)60 V31A (Ta)-2,6mOhm při 30A, 5V2,5V při 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2021
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
12 185
Skladem
1 : 185,96000 Kč
Řezaná páska (CT)
1 000 : 106,50030 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)80 V90A (Ta)5V2,5mOhm při 29A, 5V2,5V při 14mA15 nC @ 5 V+6V, -4V1650 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
Zobrazuje se
1 - 25
z 41 106

Transistory FET, MOSFET - jednotlivé

Discrete Field Effect Transistors (FETs) are widely used in power conversion, motor control, solid-state lighting, and other applications where their characteristic ability to be switched on & off at high frequencies while carrying substantial amounts of current is advantageous. They are used almost universally for applications requiring voltage ratings of a few hundred volts or less, above which other device types such as IGBTs become more competitive.