Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Výsledky : 40 992
Výrobce
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGeneSiC Semiconductor
Řada
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukceUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Typ tranzistoru FET
-N-kanálP-kanál
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)MOSFET (oxid kovu)SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)SiCFET (karbid křemíku)SiCFET (kaskodový SiCJFET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5 V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,29mOhm při 50A, 10V0,3mOhm při 200A, 10V0,35mOhm při 50A, 10V0,4mOhm při 150A, 10V0,4mOhm při 30A, 10V0,4mOhm při 50A, 10V0,42mOhm při 50A, 10V0,44mOhm při 88A, 10V0,45mOhm při 30A, 10V0,45mOhm při 30A, 7V0,45mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 60A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
400mV při 1mA (min.)400mV při 250µA (min.)450mV při 100µA (min.)450mV při 1mA (min.)450mV při 250µA (min.)450mV při 2mA (min.)500mV při 250µA (min.)570mV při 1mA (typ.)600mV při 1,2mA (min.)600mV při 1mA (min.)600mV při 1mA (typ.)600mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Funkce tranzistoru FET
-Detekce prouduDioda pro snímání teplotyRežim spotřebySchottkyho dioda (samostatná)Schottkyho dioda (těleso)Standardní
Rozptylový výkon (Max)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C
Třída
-Automobilový průmyslVojenství
Kvalifikace
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCDGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pouzdro
2-DFN podložka pro odvod tepla3-DFN podložka pro odvod tepla3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Ploché vodiče3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Nestandardní3-SMD, Ploché vodiče
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
40 992Výsledky

Zobrazuje se
z 40 992
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vgs (max)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Funkce tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
Provozní teplota
Třída
Kvalifikace
Způsob montáže
Dodávaná velikost pouzdra
Pouzdro
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
49 395
Skladem
1 : 4,25000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,75402 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
472 164
Skladem
1 : 4,72000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,79965 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm při 50mA, 5V2,5V při 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
38 984
Skladem
1 : 4,72000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,82923 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm při 220mA, 10V1,5V při 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
42 603
Skladem
1 : 4,96000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,83229 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm při 220mA, 10V1,5V při 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
180 408
Skladem
1 : 5,19000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,85865 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,3V při 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 491 851
Skladem
1 : 5,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,89554 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm při 100mA, 2,5V1V při 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montáž na povrchEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
747 660
Skladem
1 : 5,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,90081 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníP-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm při 100A, 10V2,1V při 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
522 394
Skladem
1 : 5,43000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,93236 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm při 240mA, 10V2,5V při 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 286 097
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,74560 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,4V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 161 962
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,96870 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,4V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q100Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
582 920
Skladem
6 000
Továrna
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,94290 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm při 250mA, 10V1,5V při 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
375 323
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,96925 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníP-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V130mA (Ta)5V10Ohm při 100mA, 5V2V při 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172 458
Skladem
2 350 000
Továrna
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,72532 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm při 250mA, 10V1,5V při 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
101 727
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,72938 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57 797
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,94290 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm při 240mA, 10V2,6V při 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
1 659
Skladem
1 : 5,66000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,94817 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V-1V při 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW (Ta)150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
887 610
Skladem
1 : 5,90000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,98978 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
870 167
Skladem
1 : 5,90000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,00088 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5 V2,2Ohm při 200mA, 4,5V800mV při 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montáž na povrchUMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
919 934
Skladem
1 : 6,37000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,06884 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,1V při 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
407 174
Skladem
1 : 6,37000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,06412 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
281 213
Skladem
1 : 6,37000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,05358 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)100 V170mA (Ta)10V6Ohm při 170mA, 10V2V při 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 038 035
Skladem
1 : 6,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,12202 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Automobilový průmyslAEC-Q101Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
891 471
Skladem
1 : 6,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,12202 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
743 810
Skladem
1 : 6,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,12147 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V300mA (Tc)10V5Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
239 467
Skladem
1 : 6,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,12202 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zobrazuje se
z 40 992

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET


Diskrétní tranzistory řízené elektrickým polem (FET) se široce používají při přeměně energie, řízení motorů, polovodičovém osvětlení a v dalších aplikacích, kde je výhodná jejich charakteristická schopnost zapínání a vypínání na vysokých frekvencích při současném přenosu značně vysokých proudů. Používají se takřka všestranně u aplikací vyžadujících jmenovité napětí několik stovek voltů nebo méně, nad kterým se jiné typy součástek, jako jsou tranzistory IGBT, stávají konkurenceschopnějšími.