Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Výsledky : 44 546
Výrobce
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Řada
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®
Balení
Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Stav produktu
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukcePředběžnéUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Typ tranzistoru FET
-N-kanálP-kanál
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)MOSFET (oxid kovu)SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)SiCFET (karbid křemíku)SiCFET (kaskodový SiCJFET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5 V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,29mOhm při 50A, 10V0,3mOhm při 200A, 10V0,35mOhm při 50A, 10V0,4mOhm při 150A, 10V0,4mOhm při 30A, 10V0,4mOhm při 50A, 10V0,42mOhm při 50A, 10V0,44mOhm při 88A, 10V0,45mOhm při 30A, 10V0,45mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 60A, 4,5V0,47mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
400mV při 1mA (min.)400mV při 250µA (min.)450mV při 100µA (min.)450mV při 1mA (min.)450mV při 250µA (min.)450mV při 2mA (min.)500mV při 250µA (min.)570mV při 1mA (typ.)600mV při 1,2mA (min.)600mV při 1mA (min.)600mV při 1mA (typ.)600mV při 250µA (min.)
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-Detekce prouduDioda pro snímání teplotyRežim spotřebySchottkyho dioda (samostatná)Schottkyho dioda (těleso)Standardní
Rozptylový výkon (Max)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCDGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Pouzdro
2-DFN podložka pro odvod tepla3-DFN podložka pro odvod tepla3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Ploché vodiče3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Nestandardní3-SMD, Ploché vodiče
Skladové možnosti
Možnosti ochrany životního prostředí
Média
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
44 546Výsledky
Zobrazuje se
z 44 546
Porovnat
Objednací č. Mfr
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
Cena
Řada
Balení
Stav produktu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vgs (max)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Funkce tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
Provozní teplota
Způsob montáže
Dodávaná velikost pouzdra
Pouzdro
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
545 797
Skladem
2 382 000
Továrna
1 : 3,92000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,69359 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V310mA (Ta)5V, 10V3Ohm při 115mA, 10V2V při 250µA0.87 nC @ 10 V±20V22 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
48 272
Skladem
590 000
Továrna
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,70780 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm při 250mA, 10V1,5V při 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
24 138
Skladem
1 : 3,92000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,71178 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
363 572
Skladem
130 000
Továrna
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,71966 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 419 331
Skladem
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,72759 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,4V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
684 877
Skladem
1 : 4,38000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,76237 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V190mA (Ta)5V, 10V4,5Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 390 599
Skladem
1 : 4,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,78033 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm při 50mA, 5V2,5V při 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
17 211
Skladem
1 : 4,61000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,79768 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
37 058
Skladem
1 : 4,84000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,83990 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V310mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827 945
Skladem
1 : 5,30000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,87906 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníP-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm při 100A, 10V2,1V při 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
188 117
Skladem
1 : 7,14000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,91026 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm při 150mA, 4,5V1V při 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)Montáž na povrchCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
107 246
Skladem
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,92013 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm při 240mA, 10V2,6V při 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
181 608
Skladem
570 000
Továrna
1 : 7,14000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 0,93320 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm při 220mA, 10V1,5V při 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
533 992
Skladem
279 000
Továrna
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,92013 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm při 250mA, 10V1,5V při 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
987 981
Skladem
1 : 5,76000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,96642 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 325 392
Skladem
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,98438 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,4V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
412 177
Skladem
1 : 5,53000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 0,94584 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníP-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V130mA (Ta)5V10Ohm při 100mA, 5V2V při 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 040 228
Skladem
1 : 6,22000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,04349 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm při 500mA, 10V2,1V při 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
522 261
Skladem
1 : 3,45000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,06076 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V200mA (Ta)4,5V, 10V3,9Ohm při 100mA, 10V2,1V při 250µA0.35 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-320mW (Ta)150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
879 595
Skladem
1 : 6,45000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,09439 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V300mA (Tc)10V5Ohm při 500mA, 10V2,5V při 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 198 755
Skladem
1 : 6,45000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,09492 Kč
Páska a cívka (TR)
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm při 300mA, 10V1,5V při 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
10 514
Skladem
1 : 8,98000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 1,17045 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníP-kanálMOSFET (oxid kovu)20 V4,2A (Ta)1,8V, 4,5V52mOhm při 4,2A, 4,5V900mV při 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
188 646
Skladem
9 810 000
Továrna
1 : 8,06000 Kč
Řezaná páska (CT)
10 000 : 1,20581 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)60 V400mA (Ta)1,8V, 5V2Ohm při 50mA, 5V1V při 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-440mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
196 924
Skladem
1 : 7,14000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,21314 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Není určeno pro nové konstrukceP-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V130mA (Ta)10V10Ohm při 130mA, 10V2V při 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW (Tc)-65°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
1 022 829
Skladem
156 000
Továrna
1 : 6,91000 Kč
Řezaná páska (CT)
3 000 : 1,16693 Kč
Páska a cívka (TR)
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálMOSFET (oxid kovu)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm při 220mA, 10V1,5V při 250µA-±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchSOT-323SC-70, SOT-323
Zobrazuje se
z 44 546

Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Diskrétní tranzistory řízené elektrickým polem (FET) se široce používají při přeměně energie, řízení motorů, polovodičovém osvětlení a v dalších aplikacích, kde je výhodná jejich charakteristická schopnost zapínání a vypínání na vysokých frekvencích při současném přenosu značně vysokých proudů. Používají se takřka všestranně u aplikací vyžadujících jmenovité napětí několik stovek voltů nebo méně, nad kterým se jiné typy součástek, jako jsou tranzistory IGBT, stávají konkurenceschopnějšími.