Transistory FET, MOSFET - jednotlivé

Výsledky : 39 368
Výrobce
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Vymazat
Řada
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Vymazat
Balení
-Digi-Reel®Hromadné baleníKrabiceNosičPásekPáska a cívka (TR)Páska a krabice (TB)SáčekTrubiceŘezaná páska (CT)
Vymazat
Stav součásti
AktivníDatum posledního nákupuNení určeno pro nové konstrukcePředběžnéUkončeno ve společnosti Digi-KeyZastaralé
Vymazat
Typ tranzistoru FET
-N-kanálP-kanál
Vymazat
Technologie
-GaNFET (Galium nitrid)GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)MOSFET (oxid kovu)SiC (tranzistor s přechodem z karbidu křemíku)SiCFET (karbid křemíku)SiCFET (kaskodový SiCJFET)
Vymazat
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Vymazat
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Vymazat
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
-0,35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5 V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
Vymazat
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,4mOhm při 150A, 10V0,4mOhm při 30A, 10V0,4mOhm při 50A, 10V0,42mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 30A, 10V0,45mOhm při 50A, 10V0,45mOhm při 60A, 4,5V0,47mOhm při 20A, 10V0,48mOhm při 50A, 10V0,52mOhm při 30A, 10V0,53mOhm při 20A, 10V0,55mOhm při 25A, 10V0,55mOhm při 50A, 10V
Vymazat
Vgs(th) (max) při Id
400mV při 1mA (min.)400mV při 250µA (min.)400mV při 250µA450mV při 100µA (min.)450mV při 1mA (min.)450mV při 250µA (min.)450mV při 250µA450mV při 2mA (min.)500mV při 250µA (min.)500mV při 250µA570mV při 1mA600mV při 1,2mA (min.)600mV při 1mA (min.)
Vymazat
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Vymazat
Vgs (max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Vymazat
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
Vymazat
Funkce tranzistoru FET
-Detekce prouduDioda pro snímání teplotyRežim spotřebySchottkyho dioda (samostatná)Schottkyho dioda (těleso)StandardníSuper Junction
Vymazat
Rozptylový výkon (Max)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Vymazat
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)
Vymazat
Způsob montáže
-Montáž na povrchMontáž na povrch, Smáčitelný bokMontáž na šasiPrůchozí otvor
Vymazat
Dodávaná velikost pouzdra
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
Vymazat
Pouzdro
3-DFN podložka pro odvod tepla3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Ploché vodiče3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Bez přívodů3-SMD, Nestandardní3-SMD, Ploché vodiče3-SMD, Plochý vodič3-UDFN3-UFDFN
Vymazat
Skladové možnosti
Média
Možnosti ochrany životního prostředí
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/1575
Porovnat
Objednací č. Mfr
Cena
Skladem
Dodavatel
Mfr
Min. množství
Objednací č. DK
Řada
Balení
Stav součásti
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
Rds zap (max) při Id, Vgs
Vgs(th) (max) při Id
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
Vgs (max)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
Funkce tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
Provozní teplota
Způsob montáže
Dodávaná velikost pouzdra
Pouzdro
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
18,56000 Kč
351 704 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V1,7A (Ta)5V65mOhm při 1A, 5V2,5V při 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
25,64000 Kč
86 656 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)15 V3,4A (Ta)5V30mOhm při 1,5A, 5V2,5V při 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
25,64000 Kč
173 004 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm při 50mA, 5V2,5V při 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
29,61000 Kč
596 743 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V1,7A (Ta)5V550mOhm při 100A, 5V2,5V při 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
36,02000 Kč
48 307 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)80 V6,8A (Ta)5V25mOhm při 6A, 5V2,5V při 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
47,29000 Kč
35 048 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V6A (Ta)5V30mOhm při 6A, 5V2,5V při 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (5-pájecí tyč)Razidlo
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
45,97000 Kč
50 090 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V16A (Ta)5V7mOhm při 16A, 5V2,5V při 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
45,08000 Kč
13 769 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V4A (Ta)5V160mOhm při 500mA, 5V2,5V při 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
55,25000 Kč
55 196 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V29A (Ta)5V-2,5V při 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
58,79000 Kč
20 116 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)40 V29A (Ta)5V3,6mOhm při 15A, 5V2,5V při 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandardní--40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
61,00000 Kč
10 613 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V5A (Ta)5V100mOhm při 3A, 5V2,5V při 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (4-pájecí tyč)Razidlo
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
66,08000 Kč
205 417 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V18A (Ta)5V13,5mOhm při 11A, 5V2,5V při 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
65,64000 Kč
33 381 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)65 V2A (Ta)5V530mOhm při 500mA, 5V2,5V při 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
70,94000 Kč
17 248 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V14A (Ta)5V22mOhm při 14A, 5V2,5V při 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
73,37000 Kč
19 395 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V48A (Ta)5V3,8mOhm při 25A, 5V2,5V při 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
76,02000 Kč
27 444 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Aktivní----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
81,11000 Kč
30 716 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V8,5A (Ta)5V50mOhm při 7A, 5V2,5V při 1,5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
99,89000 Kč
50 037 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V----------Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
103,65000 Kč
107 053 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)100 V36A (Ta)5V7mOhm při 25A, 5V2,5V při 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (11-pájecí tyč)Razidlo
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
106,96000 Kč
17 003 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)40 V53A (Ta)5V4mOhm při 33A, 5V2,5V při 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
135,25000 Kč
382 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V32A (Ta)5V8mOhm při 20A, 5V2,5V při 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
144,98000 Kč
18 103 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)200 V22A (Ta)5V25mOhm při 12A, 5V2,5V při 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchŠablona (7-pájecí tyč)Razidlo
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
141,66000 Kč
104 350 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)80 V90A (Ta)5V2,2mOhm při 29A, 5V2,5V při 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
128,18000 Kč
0 - Okamžitý
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1700 V4A (Tc)18V1,5Ohm při 1,1A, 18V4V při 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)Montáž na povrchTO-268TO-268-3, D³Pak (2 vodiče + jazýček), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
145,86000 Kč
22 227 - Okamžitý
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
AktivníN-kanálGaNFET (Galium nitrid)60 V31A (Ta)-2,6mOhm při 30A, 5V2,5V při 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C ~ 150°C (TJ)Montáž na povrchRazidloRazidlo
Počet výsledků na stránku
25
Page 1/1575