Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 124.4969 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT029N08N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT029N08N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT029N08N5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 108µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 87 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6500 pF @ 40 V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Rozptylový výkon (Max) 168W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-1
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu IPT029
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,9mOhm při 150A, 10V