FDP12N60NZ onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FDP12N60NZ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 1 054

Jednotková cena : 3,11000 Kč

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 498

Jednotková cena : 2,33000 Kč

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 1,91000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDP12N60NZ
Číslo produktu DigiKey	FDP12N60NZOS-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDP12N60NZ
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDP12N60NZ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	UniFET-II™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	650mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1676 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	240W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	FDP12