XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP83T03GJB
Číslo produktu DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP83T03GJB
Popis	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Průchozí otvor TO-251S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
Řada	XP83T03
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	75A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1840 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	60W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-251S
Pouzdro	TO-251-3, krátké přívody, IPAK, TO-251AA
Základní číslo produktu	XP83