XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP83T03GJB
Číslo produktu DigiKey	5048-XP83T03GJB-ND
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP83T03GJB
Popis	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Průchozí otvor TO-251S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr YAGEO XSEMI	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34 nC @ 4.5 V
Řada XP83T03	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1840 pF @ 25 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 60W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-251S
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 75A (Tc)	Pouzdro TO-251-3, krátké přívody, IPAK, TO-251AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu XP83
Rds zap (max) při Id, Vgs 6mOhm při 40A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí.

XP83T03GJB