XP4509AGM YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

XP4509AGM je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP4509AGM
Číslo produktu DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP4509AGM
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	YAGEO XSEMI
Řada	XP4509A
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,2A (Ta), 8A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 10A, 10V, 21mOhm při 7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19,2nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1140pF při 25V, 2000pF při 25V
Výkon - max	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO