XP4509AGM YAGEO XSEMI | Pole FET, MOSFET

XP4509AGM je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,15936 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP4509AGM
Číslo produktu DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP4509AGM
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm při 10A, 10V, 21mOhm při 7A, 10V
Výrobce YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP4509A	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 19,2nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1140pF při 25V, 2000pF při 25V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11,2A (Ta), 8A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
XP3C011M	YAGEO XSEMI	0	5048-XP3C011MTR-ND	0,15936 Kč	MFR Recommended

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

XP4509AGM