XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

XP3R303GMT-L je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3R303GMT-L
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3R303GMT-L
Popis	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montáž na povrch PMPAK® 5 x 6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
Řada	XP3R303
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,3mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2240 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PMPAK® 5 x 6
Pouzdro	8-PowerLDFN