XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

XP3R303GMT-L je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,11421 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3R303GMT-L
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3R303GMT-L
Popis	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montáž na povrch PMPAK® 5 x 6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,3mOhm při 30A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP3R303	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 21 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2240 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 56,8W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 105A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PMPAK® 5 x 6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerLDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
XP3NA3R4AMT	YAGEO XSEMI	0	5048-XP3NA3R4AMTTR-ND	0,11421 Kč	MFR Recommended

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

XP3R303GMT-L