Name: XP3P7R0EM
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P7R0EMTR-ND
Price: 30.2379 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3P7R0EM
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3P7R0EMTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3P7R0EMCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3P7R0EMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3P7R0EM
Popis	MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 15,5A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 17A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Řada XP3P7R0E	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 52.8 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6880 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,5A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 217

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	6,01208 Kč	18 036,24 Kč

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	24,99000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,23790 Kč

XP3P7R0EM