Name: XP3N5R0M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N5R0MTR-ND
Price: 18.0411 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3N5R0M
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3N5R0MTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3N5R0MCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3N5R0MDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3N5R0M
Popis	MOSFET N-CH 30V 17.4A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 17,4A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 16A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP3N5R0	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33.6 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3040 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17,4A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 260

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Jakmile dojde k vyčerpání skladových zásob tohoto výrobku, bude se jeho dodání řídit standardním balením a dodací lhůtou výrobce.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	14,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:	18,04110 Kč

XP3N5R0M