Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 25.41 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP3N2R8AMT
Číslo produktu DigiKey	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP3N2R8AMT
Popis	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 32,8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch 8-PMPAK (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 2,8mOhm při 20A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP3N2R8A	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4080 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 32,8A (Ta), 60A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PMPAK (5x6)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerLDFN