Name: XP2N1K2EN1
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP2N1K2EN1TR-ND
Price: 6.3525 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP2N1K2EN1
Číslo produktu DigiKey	5048-XP2N1K2EN1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP2N1K2EN1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP2N1K2EN1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP2N1K2EN1
Popis	MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montáž na povrch SOT-723
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 1mA
Mfr YAGEO XSEMI	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.7 nC @ 2.5 V
Řada XP2N1K2E	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 44 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 150mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-723
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200mA (Ta)	Pouzdro SOT-723
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 2,5V	Základní číslo produktu XP2N
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,2Ohm při 200mA, 2,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 885

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)