XP2530AGY YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP2530AGY
Číslo produktu DigiKey	5048-XP2530AGYTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP2530AGYCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP2530AGY
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) Montáž na povrch SOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	YAGEO XSEMI
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	72mOhm při 3A, 10V, 150mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4,5nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	320pF při 15V, 260pF při 15V
Výkon - max	1,136W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-26