Name: XP10TN135N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135NTR-ND
Price: 11.6886 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP10TN135N
Číslo produktu DigiKey	5048-XP10TN135NTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP10TN135NCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP10TN135NDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP10TN135N
Popis	MOSFET N-CH 100V 2.1A 3A SOT23
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 2,1A (Ta), 3A (Tc) 1,38W (Ta) Montáž na povrch SOT-23
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 135mOhm při 2A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP10TN135	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 980 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,38W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,1A (Ta), 3A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3