Name: XP10TN135H
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135HTR-ND
Price: 16.5165 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP10TN135H
Číslo produktu DigiKey	5048-XP10TN135HTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP10TN135HCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP10TN135HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP10TN135H
Popis	MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 8,1A (Tc) 2W (Ta), 20,8W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 135mOhm při 5A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Řada XP10TN135	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17.6 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 928 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 20,8W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,1A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	13,65000 Kč
Jednotková cena s DPH:	16,51650 Kč

XP10TN135H