XP10A250YT YAGEO XSEMI | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XP10A250YT
Číslo produktu DigiKey	5048-XP10A250YTTR-ND - Páska a cívka (TR) 5048-XP10A250YTCT-ND - Řezaná páska (CT) 5048-XP10A250YTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	YAGEO XSEMI
Číslo produktu výrobce	XP10A250YT
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2,1A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-PMPAK (3x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	YAGEO XSEMI
Řada	XP10A250
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,1A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	250mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8,8nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	320pF při 50V
Výkon - max	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-PMPAK (3x3)