
C3M0120065J | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | C3M0120065J |
Popis | 650V 120M SIC MOSFET |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 21A (Tc) 86W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | C3M0120065J Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 15V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 157mOhm při 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,6V při 1,86mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (max) | +19V, -8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 640 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 86W (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263-7 | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 198,71000 Kč | 198,71 Kč |
| 10 | 154,40200 Kč | 1 544,02 Kč |
| 50 | 136,69440 Kč | 6 834,72 Kč |
| 100 | 131,20680 Kč | 13 120,68 Kč |
| 250 | 125,41504 Kč | 31 353,76 Kč |
| 500 | 121,92496 Kč | 60 962,48 Kč |
| 1 000 | 119,05164 Kč | 119 051,64 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 198,71000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 240,43910 Kč |

