Name: SUM60061EL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM60061EL-GE3TR-ND
Price: 226.8871 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM60061EL-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SUM60061EL-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SUM60061EL-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SUM60061EL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM60061EL-GE3
Popis	P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 6,1mOhm při 20A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 218 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9600 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 150A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB