Name: SUM60020E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60020E-GE3TR-ND
Price: 104.1689 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM60020E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SUM60020E-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUM60020E-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUM60020E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM60020E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SUM60020E-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	150A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,1mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	227 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10680 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SUM60020