Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 59.9676 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD50N04-8M8P-4GE3
Číslo produktu DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUD50N04-8M8P-4GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 56 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2400 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SUD50
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,8mOhm při 20A, 10V