SUD35N10-26P-T4-E3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 1 805
Jednotková cena : 65,30000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD35N10-26P-T4-E3

Číslo produktu DigiKey
742-SUD35N10-26P-T4-E3TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SUD35N10-26P-T4-E3
Popis
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
26mOhm při 12A, 10V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 250µA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
47 nC @ 10 V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vgs (max)
±20V
Stav součásti
Datum posledního nákupu
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2000 pF @ 12 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
8,3W (Ta), 83W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7V, 10V
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (1)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SUD35N10-26P-BE3Vishay Siliconix1 805742-SUD35N10-26P-BE3CT-ND65,30000 KčParametrický ekvivalent
Poslední nákup
Datum posledního nákupu: 31.10.2026
Všechny ceny jsou v CZK
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50022,90773 Kč57 269,33 Kč
5 00022,42532 Kč112 126,60 Kč
7 50022,18380 Kč166 378,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:22,90773 Kč
Jednotková cena s DPH:27,71835 Kč