Name: SUD35N10-26P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD35N10-26P-GE3TR-ND
Price: 79.013 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD35N10-26P-GE3
Číslo produktu DigiKey	SUD35N10-26P-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUD35N10-26P-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUD35N10-26P-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUD35N10-26P-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 47 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2000 pF @ 12 V
Stav součásti Datum posledního nákupu	Rozptylový výkon (Max) 8,3W (Ta), 83W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Základní číslo produktu SUD35
Rds zap (max) při Id, Vgs 26mOhm při 12A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SUD35N10-26P-BE3	Vishay Siliconix	1 805	742-SUD35N10-26P-BE3CT-ND	2,64000 Kč	Direct
SUD40N10-25-E3	Vishay Siliconix	12 412	SUD40N10-25-E3CT-ND	3,74000 Kč	MFR Recommended
FDD86102	onsemi	159	FDD86102CT-ND	2,33000 Kč	Similar