Name: SUD09P10-195-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD09P10-195-GE3TR-ND
Price: 30.25 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUD09P10-195-GE3
Číslo produktu DigiKey	SUD09P10-195-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUD09P10-195-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SUD09P10-195-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUD09P10-195-GE3
Popis	MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 8,8A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	195mOhm při 3,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	34.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1055 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SUD09