Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 26.2086 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQS966ENW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQS966ENW-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 6A (Tc) 27,8W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PowerPAK® 1212-8W duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	36mOhm při 1,25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8,8nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	572pF při 25V
Výkon - max	27,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8W duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8W duální
Základní číslo produktu	SQS966