Name: SQS407ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS407ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 42.1443 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQS407ENW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQS407ENW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQS407ENW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQS407ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQS407ENW-T1_GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 16A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8W
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 77 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4572 pF @ 20 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 62,5W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8W
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro PowerPAK® 1212-8W
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,8mOhm při 12A, 10V	Základní číslo produktu SQS407
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA