SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

SQP90142E_GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 216,06000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQP90142E_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQP90142E_GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQP90142E_GE3
Popis	MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 78,5A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQP90142E_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 85 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4200 pF @ 25 V
Balení Trubice	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 78,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-220-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 15,3mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu SQP90142
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IXFP90N20X3	IXYS	0	IXFP90N20X3-ND	216,06000 Kč	Similar

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

SQP90142E_GE3