Name: SQJQ900E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ900E-T1_GE3TR-ND
Price: 74.5239 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJQ900E-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJQ900E-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 100A (Tc) 75W Montáž na povrch PowerPAK® 8x8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJQ900E-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	120nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5900pF při 20V
Výkon - max	75W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® 8x8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8 duální
Základní číslo produktu	SQJQ900