Name: SQJQ510ER-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ510ER-T1_GE3TR-ND
Price: 127.4372 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJQ510ER-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQJQ510ER-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQJQ510ER-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQJQ510ER-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJQ510ER-T1_GE3
Popis	N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 225A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,3V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 132 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10887 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 214W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 225A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 8x8
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,86mOhm při 20A, 10V	Pouzdro 8-PowerSMD, Přívod tvaru L